Поиск - новости науки и техники

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующий лабораторией исследований и разработок МЛЭ-технологий наногетероструктурных квантовых ям и “мощных” СВЧ-транзисторов на их основе; наличие степени кандидата или доктора наук – 1 вакансия;
Ведущий научный сотрудник лаборатории исследований процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность – “Инженер конструктор – технолог радиоаппаратуры”; наличие степени кандидата наук – 1 вакансия;
Ведущий сотрудник лаборатории исследований и разработок комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе; специальность – “Физик”; наличие степени кандидата наук – 1 вакансия.
Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенным на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx), направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105 Москва, Нагорный пр-д, д. 7, стр. 5.
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.

Срок подачи документов – с 4 июля по 28 августа 2014 года включительно.
Телефон для справок:
(495) 280-74-79.
Сайт ИСВЧПЭ РАН:
www.isvch.ru

Нет комментариев