Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:
младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — “Микроэлектроника и полупроводниковые приборы” — 1 вакансия;
младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — “Физика твердого тела” — 1 вакансия;
младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм-диапазонах; специальность — “Автоматизированные системы обработки информации и управления” — 1 вакансия;
научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — “Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах”, наличие степени кандидата наук — 1 вакансия.
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенным на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx), направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105 Москва, Нагорный пр., д. 7, стр. 5.
Срок подачи документов — с 26 августа по 26 октября 2011 г. включительно.
Телефон для справок: (499) 123-62-22.
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru.
Нет комментариев