Поиск - новости науки и техники

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАНобъявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:
заведующего лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность – “инженер-физик”, наличие степени – 1 вакансия;
заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность – “инженер-физик”, наличие степени – 1 вакансия;
заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и мощных СВЧ-транзисторов на их основе; специальность – “инженер-физик”, наличие степени – 1 вакансия;
научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность – “инженер электронной техники” – 1 вакансия;
младшего научного сотрудника лаборатории исследований и разработок методов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС и исследования их характеристик в см- и мм-диапазонах; специальность – “Физика твердого тела” – 1 вакансия;
младшего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность – “Физика твердого тела”, наличие степени – 1 вакансия.
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенным на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx), направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105 Москва, Нагорный пр., д. 7, стр. 5.
Срок подачи документов – с 16 декабря 2011 года по 16 февраля 2012 года включительно.
Телефон для справок:
(499) 123-62-22.
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Нет комментариев