Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов, специальность — “Физика”, наличие степени — 1 вакансия;
заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ-технологии наногетероструктурных квантовых ям и “мощных” СВЧ-транзисторов на их основе, специальность — “Физика конденсированного состояния вещества”, наличие степени — 1 вакансия;
старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ-технологии наногетероструктурных квантовых ям и “мощных” СВЧ-транзисторов на их основе, наличие степени — 1 вакансия;
старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ-технологии наногетероструктурных квантовых ям и “мощных” СВЧ-транзисторов на их основе, специальность — “Физика конденсированного состояния вещества”, наличие степени — 1 вакансия;
научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов, специальность — “Физика твердого тела” — 1 вакансия;
научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ-технологии наногетероструктурных квантовых ям и “мощных” СВЧ-транзисторов на их основе, специальность — “Физика твердого тела” — 1 вакансия;
младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5, специальность — “Физика конденсированного состояния вещества” — 1 вакансия;
младшего научного сотрудника лаборатории фундаментальных исследований низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5, специальность — “Физика конденсированного состояния вещества” — 1 вакансия.

Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенным на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx), направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105 Москва, Нагорный пр., д. 7, стр. 5.

Срок подачи документов — с 31 мая 2013 года по 31 июля 2013 года включительно.
Телефон для справок: (495) 280-74-79.
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru.