Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук
объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, специальность “Физика атомного ядра и частиц”, — 1 вакансия;
младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, специальность “Физика конденсированного состояния вещества”, — 1 вакансия;
младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, специальность “Микроэлектроника и полупроводниковые приборы”, — 1 вакансия.
Заявления и документы, в соответствии с перечнем, приведенным на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx), направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105 Москва, Нагорный пр., д. 7, стр. 5.

Срок подачи документов — с 12 июля по 12 сентября 2013 года включительно.
Телефон для справок:
(495) 280-74-79.
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru.